Numero di Prodotto del Fabbricante:
STW24NM65N
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STW24NM65N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12872702
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STW24NM65N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
MDmesh™ II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
STW24N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
-497-7035-5
497-7035-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCH190N65F-F155
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
415
NUMERO DI PEZZO
FCH190N65F-F155-DG
PREZZO UNITARIO
2.95
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
IPW65R150CFDFKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
154
NUMERO DI PEZZO
IPW65R150CFDFKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
3.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
IPW65R190C7XKSA1
FABBRICANTE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
220
NUMERO DI PEZZO
IPW65R190C7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
TK17N65W,S1F-DG
PREZZO UNITARIO
1.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
2123
NUMERO DI PEZZO
SPW20N60C3FKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.91
TIPO DI SOSTITUZIONE
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