Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
STW20NM65N
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STW20NM65N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
RFQ Online
12874385
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STW20NM65N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
MDmesh™ II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
STW20N
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCH190N65F-F155
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
415
NUMERO DI PEZZO
FCH190N65F-F155-DG
PREZZO UNITARIO
2.95
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
APT34M60B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
APT34M60B-DG
PREZZO UNITARIO
11.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
APT34F60B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
9
NUMERO DI PEZZO
APT34F60B-DG
PREZZO UNITARIO
12.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SPW20N60C3FKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2123
NUMERO DI PEZZO
SPW20N60C3FKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.91
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPW60R170CFD7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.72
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STP24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
STP13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STB6NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STD11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK