Numero di Prodotto del Fabbricante:
STU6N65K3
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STU6N65K3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12878793
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STU6N65K3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
SuperMESH3™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
880 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (IPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
STU6N65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
-497-13593-5
497-13593-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPU80R1K4P7AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
6
NUMERO DI PEZZO
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPS65R950C6AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
150
NUMERO DI PEZZO
IPS65R950C6AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
