Numero di Prodotto del Fabbricante:
STU10NM65N
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STU10NM65N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12872071
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STU10NM65N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
MDmesh™ II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
850 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
90W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
STU10N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP10NK80ZFP
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
999
NUMERO DI PEZZO
STP10NK80ZFP-DG
PREZZO UNITARIO
1.94
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPS80R600P7AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPS80R600P7AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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