Numero di Prodotto del Fabbricante:
STT7P2UH7
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STT7P2UH7-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 7A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Inventario:
12880073
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STT7P2UH7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
STripFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2390 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-6
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6
Numero di prodotto di base
STT7P
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
497-15157-6
497-15157-1
497-15157-2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SQ3425EV-T1_GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SQ3425EV-T1_GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
STI21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
STB9NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
