Numero di Prodotto del Fabbricante:
STSJ60NH3LL
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STSJ60NH3LL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Inventario:
3885 Pz Nuovo Originale Disponibile
12873853
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STSJ60NH3LL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
STripFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1810 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC-EP
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numero di prodotto di base
STSJ60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
497-5252-2
1805-STSJ60NH3LLDKR
497-5252-1
497-5252-6
-497-5252-6
-497-5252-1
-497-5252-2
1805-STSJ60NH3LLCT
1805-STSJ60NH3LLTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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