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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
STP8NS25
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STP8NS25-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
RFQ Online
12875960
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STP8NS25 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
MESH OVERLAY™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
770 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP8N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
STP8NS25(FP)
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF644PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1392
NUMERO DI PEZZO
IRF644PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RCX080N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
246
NUMERO DI PEZZO
RCX080N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
IRF634PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
6636
NUMERO DI PEZZO
IRF634PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.67
TIPO DI SOSTITUZIONE
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