STP5NK60Z
Numero di Prodotto del Fabbricante:

STP5NK60Z

Product Overview

Produttore:

STMicroelectronics

Numero di Parte:

STP5NK60Z-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220

Inventario:

1103 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947063
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

STP5NK60Z Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
SuperMESH™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
690 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
90W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP5NK60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-497-3196-5
497-3196-5
497-3196-5-NDR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
fairchild-semiconductor

BS170-D26Z

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRFU5410PBF

IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF10N60ZUT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW