Numero di Prodotto del Fabbricante:
STP4NB100
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STP4NB100-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12878891
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STP4NB100 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
PowerMESH™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP4N
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
497-2647-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBG30PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
4495
NUMERO DI PEZZO
IRFBG30PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTP3N100P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
273
NUMERO DI PEZZO
IXTP3N100P-DG
PREZZO UNITARIO
2.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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