Numero di Prodotto del Fabbricante:
STP2NK60Z
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STP2NK60Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12876490
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STP2NK60Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
SuperMESH™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP2N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
497-4377-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCP4N60
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
1335
NUMERO DI PEZZO
FCP4N60-DG
PREZZO UNITARIO
1.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFBE20PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1496
NUMERO DI PEZZO
IRFBE20PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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