Numero di Prodotto del Fabbricante:
STP18N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STP18N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
1005 Pz Nuovo Originale Disponibile
12875198
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STP18N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
770 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP18
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
497-15557-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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