Numero di Prodotto del Fabbricante:
STL3N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STL3N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventario:
4759 Pz Nuovo Originale Disponibile
12875476
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STL3N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
155 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
22W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
STL3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
497-18738-6
497-18738-2
497-18738-1
STL3N65M2-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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