Numero di Prodotto del Fabbricante:
STL3N10F7
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STL3N10F7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Inventario:
2438 Pz Nuovo Originale Disponibile
12877585
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STL3N10F7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
408 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerFlat™ (2x2)
Pacchetto / Custodia
6-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
STL3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
-497-14993-1
-497-14993-2
497-14993-2
497-14993-1
497-14993-6
-497-14993-6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RF4P060BGTCR
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
RF4P060BGTCR-DG
PREZZO UNITARIO
0.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STL120N2VH5
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
STP11NK40Z
MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
STP50NE08
MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB