Numero di Prodotto del Fabbricante:
STL26NM60N
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STL26NM60N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventario:
2485 Pz Nuovo Originale Disponibile
12870633
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STL26NM60N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125mW (Ta), 3W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
STL26
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
497-11207-2-DG
497-11207-1-DG
497-STL26NM60NCT
497-11207-6
497-STL26NM60NTR
497-STL26NM60NDKR
497-11207-2
497-11207-1
497-11207-6-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCMT199N60
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
18529
NUMERO DI PEZZO
FCMT199N60-DG
PREZZO UNITARIO
2.36
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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