Numero di Prodotto del Fabbricante:
STL180N6F7
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STL180N6F7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventario:
12872416
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STL180N6F7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4825 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
STL180
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TPH2R306NH,L1Q
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
2815
NUMERO DI PEZZO
TPH2R306NH,L1Q-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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