Numero di Prodotto del Fabbricante:
STI33N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STI33N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
9000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12879664
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STI33N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1790 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
STI33
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
497-15551-5-DG
497-15551-5
-497-15551-5
497-STI33N65M2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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