Numero di Prodotto del Fabbricante:
STI33N60M6
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STI33N60M6-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12970758
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STI33N60M6 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
MDmesh™ M6
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.75V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1515 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
STI33
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-STI33N60M6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STI47N60DM6AG
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
40
NUMERO DI PEZZO
STI47N60DM6AG-DG
PREZZO UNITARIO
3.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
AOB600A70FL
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5461A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
