STI28N60M2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

STI28N60M2

Product Overview

Produttore:

STMicroelectronics

Numero di Parte:

STI28N60M2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

6000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12880048
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STI28N60M2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
STI28

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
STx28N60M2 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
497-17621
2266-STI28N60M2

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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