Numero di Prodotto del Fabbricante:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STH30N65DM6-7AG-DG
Descrizione:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
235 Pz Nuovo Originale Disponibile
12993145
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STH30N65DM6-7AG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.75V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
223W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
H2PAK-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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