Numero di Prodotto del Fabbricante:
STH272N6F7-6AG
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STH272N6F7-6AG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventario:
12873780
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STH272N6F7-6AG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
STripFET™ F7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
333W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
H2PAK-6
Pacchetto / Custodia
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numero di prodotto di base
STH272
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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