Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
STH210N75F6-2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STH210N75F6-2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 75 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
RFQ Online
12879433
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STH210N75F6-2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
75 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
171 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
H2PAK-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
STH210
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
-497-11251-2
497-11251-6
-497-11251-1
-497-11251-6
497-11251-2
STH210N75F62
497-11251-1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTA260N055T2-7
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA260N055T2-7-DG
PREZZO UNITARIO
3.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DMTH6004SCTBQ-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
667
NUMERO DI PEZZO
DMTH6004SCTBQ-13-DG
PREZZO UNITARIO
1.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PSMN2R8-80BS,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
51094
NUMERO DI PEZZO
PSMN2R8-80BS,118-DG
PREZZO UNITARIO
1.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
AUIRFS3107TRL
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
3091
NUMERO DI PEZZO
AUIRFS3107TRL-DG
PREZZO UNITARIO
3.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DMTH6004SCTB-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
790
NUMERO DI PEZZO
DMTH6004SCTB-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.92
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STP18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
STP40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STFU18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STL25N15F4
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT