Numero di Prodotto del Fabbricante:
STFI13N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STFI13N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventario:
1500 Pz Nuovo Originale Disponibile
12872731
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STFI13N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
590 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-281 (I2PAKFP)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Numero di prodotto di base
STFI13N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
-497-16016-5
497-16016-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STF13N65M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
862
NUMERO DI PEZZO
STF13N65M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.76
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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