Numero di Prodotto del Fabbricante:
STB9NK70Z-1
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STB9NK70Z-1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12875063
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STB9NK70Z-1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
SuperMESH™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1370 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
STB9N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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