Numero di Prodotto del Fabbricante:
STB36N60M6
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STB36N60M6-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12876311
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STB36N60M6 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.75V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1960 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
STB36
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
STB36N60M6-DG
497-18734-6
497-18734-1
497-18734-2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB60R125C6ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2357
NUMERO DI PEZZO
IPB60R125C6ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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