Numero di Prodotto del Fabbricante:
STB19NM65N
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STB19NM65N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
776 Pz Nuovo Originale Disponibile
12876386
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STB19NM65N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
STB19N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
-497-7001-6
1805-STB19NM65NCT
497-7001-6
1805-STB19NM65NTR
497-7001-2
1805-STB19NM65NDKR
-497-7001-2
497-7001-1
-497-7001-1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB65R310CFDAATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1407
NUMERO DI PEZZO
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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