STB13N60M2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

STB13N60M2

Product Overview

Produttore:

STMicroelectronics

Numero di Parte:

STB13N60M2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

2210 Pz Nuovo Originale Disponibile
12872335
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

STB13N60M2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II Plus
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
580 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
STB13

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-13828-6
497-13828-1
497-13828-2

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
stmicroelectronics

STD100NH03LT4

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

stmicroelectronics

STL22N60DM6

MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV

stmicroelectronics

STFW60N65M5

MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT

stmicroelectronics

STB80NF55-06-1

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK