Numero di Prodotto del Fabbricante:
SCTW90N65G2V
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
SCTW90N65G2V-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventario:
2 Pz Nuovo Originale Disponibile
12880909
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SCTW90N65G2V Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3300 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
390W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
HiP247™
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SCTW90
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
497-18351
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MSC015SMA070B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
497
NUMERO DI PEZZO
MSC015SMA070B-DG
PREZZO UNITARIO
24.79
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SCT3022ALGC11
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
1695
NUMERO DI PEZZO
SCT3022ALGC11-DG
PREZZO UNITARIO
36.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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