Numero di Prodotto del Fabbricante:
SCT20N120H
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
SCT20N120H-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
12945620
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SCT20N120H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
650 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
175W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
H2PAK-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SCT20
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-SCT20N120HCT
SCT20N120H-DG
497-SCT20N120HTR
497-SCT20N120HDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
G3R75MT12K
FABBRICANTE
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
897
NUMERO DI PEZZO
G3R75MT12K-DG
PREZZO UNITARIO
7.41
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SCT3160KLGC11
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
2223
NUMERO DI PEZZO
SCT3160KLGC11-DG
PREZZO UNITARIO
5.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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