Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJD122-1
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
MJD122-1-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
2794 Pz Nuovo Originale Disponibile
12876706
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
MJD122-1 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
8 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max
20 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (IPAK)
Numero di prodotto di base
MJD122
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
MJD122-1-DG
497-16183
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
