Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF620
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
IRF620-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12880506
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IRF620 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
-
Serie
PowerMESH™ II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRF6
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-3135
497-3135-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF620PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
322
NUMERO DI PEZZO
IRF620PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RCX080N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
246
NUMERO DI PEZZO
RCX080N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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