Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD1803S-E
Product Overview
Produttore:
Sanyo
Numero di Parte:
2SD1803S-E-DG
Descrizione:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventario:
3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946092
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2SD1803S-E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
5 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 150mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 500mA, 2V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
180MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK/TP
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
461
Altri nomi
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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