2SB1274R-SA
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SB1274R-SA

Product Overview

Produttore:

Sanyo

Numero di Parte:

2SB1274R-SA-DG

Descrizione:

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML

Inventario:

8300 Pz Nuovo Originale Disponibile
12940366
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2SB1274R-SA Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 500mA, 5V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220ML

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,902
Altri nomi
2156-2SB1274R-SA
ONSSNY2SB1274R-SA

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
Not applicable
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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nec-corporation

2SA954-A

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