Numero di Prodotto del Fabbricante:
VT6M1T2CR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
VT6M1T2CR-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventario:
64626 Pz Nuovo Originale Disponibile
13525860
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VT6M1T2CR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Potenza - Max
120mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT6
Numero di prodotto di base
VT6M1
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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