Numero di Prodotto del Fabbricante:
US6J11TR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
US6J11TR-DG
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventario:
5885 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527012
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US6J11TR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
290pF @ 6V
Potenza - Max
320mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
TUMT6
Numero di prodotto di base
US6J11
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
US6J11DKR
US6J11CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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