Numero di Prodotto del Fabbricante:
TT8U2TR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
TT8U2TR-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventario:
13524991
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TT8U2TR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
850 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSST
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
TT8U2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
TT8U2TRDKR
TT8U2TRTR-ND
TT8U2DKR
TT8U2TRCT-ND
TT8U2TRTR
TT8U2CT
TT8U2TRDKR-ND
TT8U2TRCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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