Numero di Prodotto del Fabbricante:
SCT3022ALHRC11
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
SCT3022ALHRC11-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W Through Hole TO-247N
Inventario:
2246 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527044
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SCT3022ALHRC11 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
5.6V @ 18.2mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2208 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
339W
Temperatura
175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247N
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SCT3022
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RS1L180GNTB
MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
RSQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
QS5U26TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
