RZF013P01TL
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RZF013P01TL

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RZF013P01TL-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3

Inventario:

4924 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524345
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RZF013P01TL Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
290 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TUMT3
Pacchetto / Custodia
3-SMD, Flat Leads
Numero di prodotto di base
RZF013

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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