Numero di Prodotto del Fabbricante:
RV8C010UNHZGG2CR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RV8C010UNHZGG2CR-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
Inventario:
5842 Pz Nuovo Originale Disponibile
12948488
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RV8C010UNHZGG2CR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
40 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1010-3W
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
RV8C010
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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