Numero di Prodotto del Fabbricante:
RUE002N02TL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RUE002N02TL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventario:
26598 Pz Nuovo Originale Disponibile
13525008
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RUE002N02TL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
25 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT3
Pacchetto / Custodia
SC-75, SOT-416
Numero di prodotto di base
RUE002
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RUE002N02TLTR
RUE002N02TLCT
RUE002N02TLDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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