RSM002P03T2L

Numero di Prodotto del Fabbricante:

RSM002P03T2L

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RSM002P03T2L-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3

Inventario:

25245 Pz Nuovo Originale Disponibile

13525678

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RSM002P03T2L Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

ROHM Semiconductor

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 200mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

30 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VMT3

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Numero di prodotto di base

RSM002

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Documenti di affidabilità

VMT3 MOS Reliability Test

Risorse di progettazione

VMT3M Inner Structure

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

8,000

Altri nomi

RSM002P03T2LCT

RSM002P03T2LDKR

RSM002P03T2LTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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