RS1E321GNTB1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RS1E321GNTB1

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RS1E321GNTB1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

4800 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524414
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RS1E321GNTB1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2850 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
RS1E

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RS1E321GNTB1CT
RS1E321GNTB1TR
RS1E321GNTB1DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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