RS1E260ATTB1

Numero di Prodotto del Fabbricante:

RS1E260ATTB1

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RS1E260ATTB1-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

15096 Pz Nuovo Originale Disponibile

13525772

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RS1E260ATTB1 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

ROHM Semiconductor

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

26A (Ta), 80A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 26A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

175 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

7850 pF @ 15 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HSOP

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Numero di prodotto di base

RS1E

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

RS1E260ATTB1TR

RS1E260ATTB1DKR

RS1E260ATTB1CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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