Numero di Prodotto del Fabbricante:
RS1E200GNTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RS1E200GNTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
2460 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527276
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RS1E200GNTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1080 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
RS1E
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSC042N03LSGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
11717
NUMERO DI PEZZO
BSC042N03LSGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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