Numero di Prodotto del Fabbricante:
RS1E170GNTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RS1E170GNTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
1959 Pz Nuovo Originale Disponibile
13080530
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RS1E170GNTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
720 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
RS1E
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
846-RS1E170GNTR
846-RS1E170GNTBCT
RS1E170GNTBTR
RS1E170GNTBDKR
RS1E170GNTBCT
846-RS1E170GNTBDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RSR020N06HZGTL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RSQ035N06HZGTR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
CMS25N03V8-HF
MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN