Numero di Prodotto del Fabbricante:
RQ3L090GNTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RQ3L090GNTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
17700 Pz Nuovo Originale Disponibile
13525967
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RQ3L090GNTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Ta), 30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.7V @ 300µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1260 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3L090
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3L090GNTBDKR
RQ3L090GNTBCT
RQ3L090GNTBTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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