RQ3E180AJTB
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RQ3E180AJTB

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RQ3E180AJTB-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventario:

16588 Pz Nuovo Originale Disponibile
13526210
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RQ3E180AJTB Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 11mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4290 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3E180

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
RQ3E180AJ HSMT8 TB Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3E180AJTBCT
RQ3E180AJTBDKR
RQ3E180AJTBTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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