Numero di Prodotto del Fabbricante:
RQ3E110AJTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RQ3E110AJTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
13988 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527398
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RQ3E110AJTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3E110
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3E110AJTBDKR
RQ3E110AJTBCT
RQ3E110AJTBTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RF6E065BNTCR
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
