Numero di Prodotto del Fabbricante:
RQ1A070APTR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RQ1A070APTR-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventario:
3473 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527484
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RQ1A070APTR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
-8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7800 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
550mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TSMT8
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
RQ1A070
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
846-RQ1A070APCT
846-RQ1A070APTR
846-RQ1A070APDKR
RQ1A070APTR-ND
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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