Numero di Prodotto del Fabbricante:
RJ1G12BGNTLL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RJ1G12BGNTLL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL
Inventario:
1804 Pz Nuovo Originale Disponibile
13526416
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RJ1G12BGNTLL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.86mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 2mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12500 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
178W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LPTL
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
RJ1G12
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
RJ1G12BGNTLLCT
RJ1G12BGNTLLTR
RJ1G12BGNTLLDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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