Numero di Prodotto del Fabbricante:
RDX080N50FU6
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RDX080N50FU6-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
13526691
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RDX080N50FU6 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
920 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220FM
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
RDX080
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK8A50D(STA4,Q,M)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
43
NUMERO DI PEZZO
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
PREZZO UNITARIO
0.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM